Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 10 x 12 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 10 x 12 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 33 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 10 x 12 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 33 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 10 x 12 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8...
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics. Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones q...
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics. Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones q...
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics. Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones q...
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics. Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones q...
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics. Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones q...
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 65 V Tipo de Encapsulado = B4E Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta máxima...
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 65 V Tipo de Encapsulado = B4E Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta máxima...
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = B2 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 2 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta máxima ...
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = B2 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 2 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta máxima ...
STMicroelectronics XXXX es el FET LDMOS Art diseñado para comunicación de banda ancha e ISM con frecuencias de HF a 1 GHz. Este producto también se puede utilizar en sistemas de comunicación comerc...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 2,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 90 V Serie = RF3L05150CB4 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxim...
Tipo de Canal = N Tensión Máxima Drenador-Fuente = 90 V Tipo de Encapsulado = LBB Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbra...
Tipo de Canal = N Tensión Máxima Drenador-Fuente = 90 V Serie = RF3L Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta m...
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 110 V Tipo de Encapsulado = B4E Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta máxim...
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 110 V Tipo de Encapsulado = B4E Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 1 Ω Tensión de umbral de puerta máxim...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = H2PAK-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = H2PAK-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 10 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Tipo de Encapsulado = Cinta y carrete Tipo de Montaje = Montaje superficial Modo de Canal = Mejora
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 10 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Tipo de Encapsulado = Cinta y carrete Tipo de Montaje = Montaje superficial Modo de Canal = Mejora
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = HU3PAK Tipo de Montaje = Montaje superficial Modo de Canal = Mejora
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = HU3PAK Tipo de Montaje = Montaje superficial Modo de Canal = Mejora
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1700 V Tipo de Encapsulado = HiP247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 R...
SiC MOSFETSTMicroelectronics: El MOSFET de potencia de carburo de silicio se fabrica aprovechando las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. Esto da como resultado una res...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SiC MOSFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxim...
STMicroelectronics, un MOSFET de potencia de carburo de silicio que aprovecha las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. El material SiC tiene excelentes propiedades térmi...
MOSFET de canal N de carburo de silicio (SiC), STMicroelectronics. Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) se caracterizan por una muy baja resistencia interna de drenaje de fuente para una tensión ...
MOSFET de canal N de carburo de silicio (SiC), STMicroelectronics. Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) se caracterizan por una muy baja resistencia interna de drenaje de fuente para una tensión ...
El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 45A y resistencia de drenaje a fuente de 55m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por áre...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = SCTH35 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Dren...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = H2PAK-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resisten...
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando Advanced de ST y la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2nd generación. El dispositivo dispo...
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 33 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCTH40N Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0...
STMicroelectronics el dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora MOSFET 2nd generación sic de ST. El dispositivo dispone ...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = H2PAK-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resist...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 60 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = H2PAK-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resist...
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 90 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCTH70N Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0...
STMicroelectronics el dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora MOSFET 2nd generación sic de ST. El dispositivo dispone ...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 116 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = SCTH90 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Dre...
El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 116A y resistencia de drenaje a fuente de 18m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por ár...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = PowerFLAT 8 x 8 HV Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines =...
The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance ...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = SCTL90N Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima Dre...
STMicroelectronics el dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora MOSFET 2nd generación sic de ST. El dispositivo dispone ...
El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 45A y resistencia de drenaje a fuente de 45m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por áre...
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