Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 190 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = BSS123I Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Modo de Canal = Redu...
El Infineon SN7002I es el MOSFET de canal N y P de potencia pequeña y señal pequeña que proporciona una amplia gama de niveles VGS(th) y valores RDS(on), así como varias clases de tensión. Este MOS...
El Infineon BSS123I es el MOSFET de canal N y P de potencia pequeña y señal pequeña que proporciona una amplia gama de niveles VGS(th) y valores RDS(on), así como varias clases de tensión. Este MOS...
El Infineon BSS138I es el MOSFET de canal N y P de potencia pequeña y señal pequeña que proporciona una amplia gama de niveles VGS(th) y valores RDS(on), así como varias clases de tensión. Este MOS...
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 230 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resisten...
MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®. Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS ;sup>® ;/sup> tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos...
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y lo...
El Infineon BSS127I es el MOSFET de canal N y P de potencia pequeña y señal pequeña que proporciona una amplia gama de niveles VGS(th) y valores RDS(on), así como varias clases de tensión. Este MOS...
MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión...
Este MOSFET Infineon SIPMOS de señal pequeña es ideal para aplicaciones de automoción con limitación de espacio o no de automoción. Se pueden encontrar en casi todas las aplicaciones, por ejemplo, ...
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y lo...
El Infineon BSS169I es el MOSFET de canal N y P de potencia pequeña y señal pequeña que proporciona una amplia gama de niveles VGS(th) y valores RDS(on), así como varias clases de tensión. Este MOS...
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