Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 238 W Tipo de Encapsulado = D2PAK Tipo de Mo...
Using the novel field stop 4th generation IGBT technology. AFGB40T65SQDN offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficiency operation in various a...
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 267 W Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de M...
Corriente Máxima Continua del Colector = 25 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 475 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 16V Disipación de Potencia Máxima = 150 W Tipo de Encapsulado = D2PAK Tipo de Mon...
Este IGBT específico de la aplicación utiliza la tecnología PowerMESH™ más avanzada optimizada para accionamiento de bobina en el entorno hostil de sistemas de encendido de automoción. Estos dispos...
Este IGBT específico de la aplicación utiliza la tecnología PowerMESH™ más avanzada optimizada para accionamiento de bobina en el entorno hostil de sistemas de encendido de automoción. Estos dispos...
Corriente Máxima Continua del Colector = 25 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 475 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 16V Disipación de Potencia Máxima = 125 W Tipo de Encapsulado = DPAK Tipo de Mont...
El controlador de puerta sin inversión de lado bajo de canal único Infineon EiceDRIVER™ de 25 V para IGBT con corrientes de fuente y disipador típicas de 2,6 A en un encapsulado PG-SOT23 pequeño de...
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30.0V Disipación de Potencia Máxima = 1 W Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de C...
El Field Stop Trench IGBT DE ON Semiconductor ofrece un rendimiento óptimo tanto para topología de conmutación dura como suave en aplicaciones de automoción. Es un IGBT independiente.Certificación ...
El Field Stop Trench IGBT DE ON Semiconductor ofrece un rendimiento óptimo tanto para topología de conmutación dura como suave en aplicaciones de automoción. Es un IGBT independiente.Certificación ...
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30.0V Número de transistores = 30 Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Canal = N...
El Field Stop Trench IGBT DE ON Semiconductor ofrece un rendimiento óptimo tanto para topología de conmutación dura como suave en aplicaciones de automoción. Es un IGBT independiente.Certificación ...
Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30.0V Disipación de Potencia Máxima = 268 W Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de...
El Field Stop Trench IGBT DE ON Semiconductor ofrece un rendimiento óptimo tanto para topología de conmutación dura como suave en aplicaciones de automoción. Es un IGBT independiente.Certificación ...
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30.0V Número de transistores = 30 Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Canal = N...
Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 1 Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Canal = N Co...
on Semiconductor serie AFGHL es un IGBT que ofrece un rendimiento óptimo con pérdidas de conmutación y conducción bajas para operaciones de alta eficiencia en diversas aplicaciones, que no requiere...
Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 375 W Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de C...
on Semiconductor serie AFGHL es un IGBT que ofrece un rendimiento óptimo con pérdidas de conmutación y conducción bajas para operaciones de alta eficiencia en diversas aplicaciones, que no requiere...
Corriente Máxima Continua del Colector = 100 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 1 Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Canal = N C...
on Semiconductor serie AFGY es un IGBT con diodo de recuperación rápida suave que ofrece una conducción muy baja y pérdidas de conmutación para un funcionamiento de alta eficiencia en diversas apli...
Corriente Máxima Continua del Colector = 120 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 714 W Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de ...
on Semiconductor serie AFGY es un IGBT con diodo de recuperación rápida suave que ofrece una conducción muy baja y pérdidas de conmutación para un funcionamiento de alta eficiencia en diversas apli...
El transistor bipolar Infineon de puerta aislada con tecnología H5 de alta velocidad ofrece la mejor eficiencia de su clase en topologías de conmutación dura y resonante.Eficiencia alta Pérdidas de...
Corriente Máxima Continua del Colector = 74 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20 V, ±30 V Disipación de Potencia Máxima = 250 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247...
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20 V, ±30 V Disipación de Potencia Máxima = 270 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247...
El transistor bipolar Infineon de puerta aislada rápida de alta velocidad de tres contactos.Eficiencia alta Pérdidas de conmutación bajas Mayor fiabilidad Baja interferencia electromagnética
Corriente Máxima Continua del Colector = 120 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 750 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 15V Número de transistores = 3 Tipo de Encapsulado = TO247PLUS
Corriente Máxima Continua del Colector = 120 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 750 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 15V Disipación de Potencia Máxima = 170 W Tipo de Encapsulado = TO247PLUS
Corriente Máxima Continua del Colector = 40 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 166 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3 Conte...
El transistor bipolar de Infineon con puerta aislada con diodo controlado por emisor antiparalelo de recuperación rápida.Eficiencia alta Pérdidas de conmutación bajas Mayor fiabilidad Baja interfer...
Corriente Máxima Continua del Colector = 60 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 187 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3 Conte...
El transistor bipolar de Infineon con puerta aislada dispone de tecnología de parada de campo con diodo controlado por emisor antiparalelo de recuperación rápida suave.Eficiencia alta Pérdidas de c...
El transistor bipolar Infineon de puerta aislada con tecnología F5 de alta velocidad ofrece la mejor eficiencia de su clase en topologías de conmutación dura y resonante.Eficiencia alta Pérdidas de...
Corriente Máxima Continua del Colector = 74 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20 V, ±30 V Disipación de Potencia Máxima = 250 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247...
El transistor bipolar Infineon Fieldstop Technology con puerta aislada y diodo controlado por emisor antiparalelo de recuperación rápida suave.Eficiencia alta Pérdidas de conmutación bajas Mayor fi...
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 250 W Tipo de Encapsulado = PG-TO263-3 Conte...
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20.0V Disipación de Potencia Máxima = 250 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3 Con...
El AIKW50N65RF5 de Infineon es un dispositivo de potencia híbrido con tecnología de potencia SiC con el mejor rendimiento de coste es el aspecto más importante para aplicaciones auxiliares en vehíc...
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 428 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3 Conte...
El transistor bipolar de Infineon con puerta aislada con coeficiente de temperatura positivo en tensión de saturación.Eficiencia alta Pérdidas de conmutación bajas Mayor fiabilidad Baja interferenc...
Corriente Máxima Continua del Colector = 34 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Número de transistores = 1 Tipo de Encapsulado = D2PAK
Corriente Máxima Continua del Colector = 34 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 100 W Tipo de Encapsulado = D2PAK
Corriente Máxima Continua del Colector = 141 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 543 W Tipo de Encapsulado = TO-247AC
Corriente Máxima Continua del Colector = 141 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 543 W Tipo de Encapsulado = TO-247AC
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* En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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