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Módulo de potencia inteligente, IM818LCCXKMA1, N-Canal, 20 A, 3,21 V., DIP 36 x 23D, 18-Pines 6 Serie (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 20 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 3,21 V. Disipación de Potencia Máxima = 156 W Tipo de Encapsulado = DIP 36 x 23D Tipo de Canal = N Conteo de Pines = 1...

Infineon

IM818LCCXKMA1

€ 8.173,76*
por 280 unidades

Módulo IGBT, NXH450B100H4Q2F2SG, 101 A, 1.000 V, Q2BOOST - Caja 180BR (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 101 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.000 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 79 W

onsemi

NXH450B100H4Q2F2SG

€ 6.427,08*
por 36 unidades

Módulo IGBT, NXH300B100H4Q2F2PG, 73 A, 1.000 V, 93x47 (ENCAJE A PRESIÓN) (contactos de encaje a presión sin plomo y sin (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 73 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.000 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 79 W

onsemi

NXH300B100H4Q2F2PG

€ 6.002,496*
por 36 unidades

Infineon BSC16DN25NS3 G transistore 250 V (1 oferta)

Infineon

BSC16DN25NS3GATMA1

€ 5.755,00*
por 5.000 unidades

IGBT, FZ250R65KE3NPSA1, 250 A, 6500 V, CTI, 5-Pines 3 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 250 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 6500 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 1000 kW Tipo de Encapsulado = CTI Tipo de ...

Infineon

FZ250R65KE3NPSA1

a partir de € 5.235,46*
por 4 unidades

Módulo IGBT, FF1800R23IE7PBPSA1, 1,8 kA, 2300 V, Primero 3+ (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 1,8 kA Tensión Máxima Colector-Emisor = 2300 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 2700 kW Tipo de Encapsulado = Primero 3+ ...

Infineon

SP005678645

€ 4.801,026*
por 3 unidades

Módulo IGBT, NXH020F120MNF1PTG, Contactos de encaje a presión F1-4PACK con material de interfaz térmica (TIM) (1 oferta)

Disipación de Potencia Máxima = 119 W

onsemi

NXH020F120MNF1PTG

€ 4.352,544*
por 28 unidades

Módulo IGBT, FS950R08A6P2BBPSA1, 950 A, 750 V, HybridPACK 6 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 950 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 750 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 870 W Tipo de Encapsulado = HybridPACK

Infineon

FS950R08A6P2BBPSA1

€ 3.764,988*
por 6 unidades

Módulo IGBT, FS380R12A6T4BBPSA1, N-Canal, 760 A., 1.200 V, AG-HYBRIDD-1, 33-Pines 6 (1 oferta)

La unidad HybridPACKTM de Infineon es un módulo de seis unidades muy compacto optimizado para vehículos híbridos y eléctricos. El módulo de potencia implementa la IGBT4 generación. El chipset tiene...

Infineon

FS380R12A6T4BBPSA1

€ 3.618,426*
por 6 unidades

Módulo transistor IGBT, SKM400GB12F4, 400 A, 1200 V 1 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 400 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±15.0V Número de transistores = 1 Configuración = Medio puente

Semikron

SKM400GB12F4

a partir de € 3.511,524*
por 12 unidades

IGBT, AIKQ200N75CP2XKSA1, 200 A, 750 V, TO247PLUS 3 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 750 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 15V Disipación de Potencia Máxima = 1,07 kW Tipo de Encapsulado = TO247PLUS

Infineon

AIKQ200N75CP2XKSA1

€ 3.412,32*
por 240 unidades

IGBT, SI7489DP-T1-E3 (1 oferta)

IGBT

Vishay

SI7489DP-T1-E3

€ 3.318,00*
por 3.000 unidades

Módulo IGBT, FF1500R17IP5PBPSA1, N-Canal, 1,5 kA, 1700 V, PRIME3+, 10-Pines 2 Doble (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 1,5 kA Tensión Máxima Colector-Emisor = 1700 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = PRIME3+ Tipo d...

Infineon

FF1500R17IP5PBPSA1

€ 3.305,04*
por 3 unidades

IGBT, FP200R12N3T7BPSA1, N-Canal, 200 A, 1.200 V, Módulo, 46-Pines 7 Trifásico (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo d...

Infineon

FP200R12N3T7BPSA1

€ 3.221,39*
por 10 unidades

Módulo IGBT, FF1800R23IE7BPSA1, 1,8 kA, 2300 V, Primero 3+ (1 oferta)

Infineon

SP005349542

€ 3.137,936*
por 2 unidades

Módulo IGBT, PM100CG1B120#300G, N-Canal, 100, 1.200 V, Módulo 6 Trifásico (1 oferta)

Mitsubishi Electric 1200V Intelligent Module Power tiene un IGBT de alto rendimiento y alta fiabilidad con seis controladores por módulo. Tiene 150 A de corriente continua máxima de colector y en e...

Mitsubishi

PM100CG1B120300G

a partir de € 3.001,98*
por 10 unidades

Módulo de potencia inteligente, NFAM2012L5BT, N-Canal, 20 A, 1.200 V, DIP39 6 (1 oferta)

EL ON Semiconductor NFAM2012L5BT es un módulo de potencia de inversor completamente integrado compuesto de un controlador de puerta de lado alto independiente, LVIC, seis IGBT y un sensor de temper...

onsemi

NFAM2012L5BT

€ 2.980,80*
por 90 unidades

Módulo IGBT, FF2400RB12IP7PBPSA1, 2,4 kA, 1.200 V, Primero 3+ (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 2,4 kA Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = Primero 3+ T...

Infineon

SP005545663

€ 2.949,816*
por 3 unidades

IGBT, NFAQ0560R46T, 2,6 V, NFAQ (1 oferta)

Tensión Máxima Colector-Emisor = 2,6 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 600V Tipo de Encapsulado = NFAQ

onsemi

NFAQ0560R46T

a partir de € 2.885,20*
por 400 unidades

Módulo transistor IGBT, SKM300GB12F4, 300 A, 1200 V 2 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 300 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±15.0V Número de transistores = 2 Configuración = Medio puente

Semikron

SKM300GB12F4

a partir de € 2.806,008*
por 12 unidades

IGBT, FP150R12N3T7BPSA1, N-Canal, 150 A, 1.200 V, Módulo, 43-Pines 7 Trifásico (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 150 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo d...

Infineon

FP150R12N3T7BPSA1

€ 2.795,79*
por 10 unidades

Módulo IGBT, NXH040F120MNF1PTG, Contactos de encaje a presión F1-4PACK con material de interfaz térmica (TIM) (1 oferta)

Disipación de Potencia Máxima = 74 W

onsemi

NXH040F120MNF1PTG

€ 2.782,388*
por 28 unidades

IGBT, STGSB200M65DF2AG, NPN-Canal, 200 A, 650 V, ECOPACK, 9-Pines 2 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 714 W Tipo de Encapsulado = ECOPACK Tipo de...

ST Microelectronics

STGSB200M65DF2AG

a partir de € 2.765,20*
por 200 unidades

IGBT, RGWX5TS65DHRC11, N-Canal, 50 A, 650 V, TO-247N, 3-Pines 1 Emisor común (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Disipación de Potencia Máxima = 348 W Tipo de Encapsulado = TO-247N Tipo de ...

ROHM Semiconductor

RGWX5TS65DHRC11

€ 2.763,45*
por 450 unidades

Módulo IGBT, CM600DY-13T#300G, 600 A, 600 V, 94x48 mm 2 Doble (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 600 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 4,17 kW Tipo de Encapsulado = 94x48 mm Confi...

Mitsubishi

CM600DY-13T300G

€ 2.552,90*
por 10 unidades

Módulo IGBT, FF400R17KE4HOSA1, N-Canal, 400 A, 1700 V, 62 mm, 7-Pines 2 Doble (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 400 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1700 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Número de transistores = 2 Tipo de Encapsulado = 62 mm Tipo de Canal = N Co...

Infineon

FF400R17KE4HOSA1

€ 2.525,22*
por 10 unidades

Módulo transistor IGBT, SKM400GAL12F4, 400 A, 1200 V 1 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 400 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±15.0V Número de transistores = 1

Semikron

SKM400GAL12F4

a partir de € 2.454,96*
por 12 unidades

Módulo transistor IGBT, SKM400GAR12F4, 400 A, 1200 V 1 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 400 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±15.0V Número de transistores = 1

Semikron

SKM400GAR12F4

a partir de € 2.453,82*
por 12 unidades

IGBT, FP150R12KT4BPSA1, 150 A, 1.200 V (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 150 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Configuración = Puente trifásico Ti...

Infineon

FP150R12KT4BPSA1

a partir de € 2.388,95*
por 10 unidades

Módulo IGBT, FS200R06KE3BOSA1, 200 A, 600 V, EconoPACK 6 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 6 Tipo de Encapsulado = EconoPACK

Infineon

FS200R06KE3BOSA1

€ 2.387,04*
por 10 unidades

IGBT, RGTH00TS65DGC13, 85 A, 650 V, TO-247GE 1 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 85 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Disipación de Potencia Máxima = 277 W Tipo de Encapsulado = TO-247GE

ROHM Semiconductor

RGTH00TS65DGC13

€ 2.359,80*
por 600 unidades

Módulo transistor IGBT, SKM200GB12F4, 200 A, 1200 V 2 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±15.0V Número de transistores = 2 Configuración = Medio puente

Semikron

SKM200GB12F4

a partir de € 2.317,452*
por 12 unidades

IGBT, RGWSX2TS65DGC13, 104 A, 650 V, TO-247GE 1 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 104 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Disipación de Potencia Máxima = 288 W Tipo de Encapsulado = TO-247GE

ROHM Semiconductor

RGWSX2TS65DGC13

€ 2.308,20*
por 600 unidades

Módulo IGBT, FZ1800R45HL4S7BPSA1, 1,8 kA, 4.500 V, AG-IHVB190 3 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 1,8 kA Tensión Máxima Colector-Emisor = 4.500 V Disipación de Potencia Máxima = 4000 kW Tipo de Encapsulado = AG-IHVB190

Infineon

FZ1800R45HL4S7BPSA1

€ 2.166,32*
por unidad

IGBT, FF900R12ME7WB11BPSA1, 890 A, 1.200 V (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 890 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW

Infineon

FF900R12ME7WB11BPSA1

€ 2.165,70*
por 6 unidades

Módulo IGBT, FF1200R12IE5PBPSA1, N-Canal, 1,2 kA, 1.200 V, PRIME2, 10-Pines 2 Doble (1 oferta)

El módulo IGBT doble Infineon PrimePack con tecnología de interconexión TRENCHSTOP IGBT5 y .XT. Tiene una tensión de emisor de colector de 1.200 V. Los módulos IGBT de parada de campo y TRENCHSTOP ...

Infineon

FF1200R12IE5PBPSA1

€ 2.163,864*
por 3 unidades

Módulo IGBT, FS150R12KT3BOSA1, 200 A, 1200 V 6 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Número de transistores = 6

Infineon

FS150R12KT3BOSA1

€ 2.145,51*
por 10 unidades

IGBT, FGH4L40T120LQD, 80 A, 1200 V, TO-247 30 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 153 W Tipo de Encapsulado = TO-247

onsemi

FGH4L40T120LQD

€ 2.119,50*
por 450 unidades

IGBT, NFAM0512L5BT, N-Canal, 5 A, 1.200 V, DIP, 39-Pines 6 (1 oferta)

EL on Semiconductor NFAM0512L5BT es un módulo de potencia de inversor completamente integrado de− compuesto por un controlador de puerta de lado alto independiente, LVIC, seis IGBT y un sensor de t...

onsemi

NFAM0512L5BT

€ 2.117,88*
por 90 unidades

Módulo IGBT, FZ1800R45HL4BPSA1, 1,8 kA, 4.500 V, AG-IHVB190 3 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 1,8 kA Tensión Máxima Colector-Emisor = 4.500 V Disipación de Potencia Máxima = 4000 kW Tipo de Encapsulado = AG-IHVB190

Infineon

FZ1800R45HL4BPSA1

€ 2.073,179*
por unidad

IGBT, FF1800R17IP5BPSA1, N-Canal, 1,8 kA, 1700 V, AG-PRIME3+ Emisor común (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 1,8 kA Tensión Máxima Colector-Emisor = 1700 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 1,8 kW Tipo de Encapsulado = AG-PRIME3+ Ti...

Infineon

FF1800R17IP5BPSA1

€ 2.058,42*
por 2 unidades

Módulo IGBT, CM450DY-24T #300G, N-Canal, 450, 1.200 V, Módulo 2 Medio puente doble (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 450 Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Número de transistores = 2 Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo de Montaje = Mo...

Mitsubishi

CM450DY-24T 300G

a partir de € 2.025,60*
por 10 unidades

Módulo IGBT, PM50CG1B120#300G, N-Canal, 50, 1.200 V, Módulo 6 Trifásico (1 oferta)

Mitsubishi Electric 1200V Intelligent Module Power tiene un IGBT de alto rendimiento y alta fiabilidad con seis controladores por módulo. Tiene 50 A de corriente continua máxima de colector y en es...

Mitsubishi

PM50CG1B120300G

a partir de € 2.018,87*
por 10 unidades

AEC-Q101 IGBT, AFGB40T65SQDN, N-Canal, 80 A, 650 V, D2PAK, 3-Pines 1 Simple (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 238 W Tipo de Encapsulado = D2PAK Tipo de Mo...

onsemi

AFGB40T65SQDN

€ 1.984,80*
por 800 unidades

Módulo IGBT, FP75R12KT4B11BOSA1, 75 A, 1200 V 7 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 7

Infineon

FP75R12KT4B11BOSA1

€ 1.980,48*
por 10 unidades

Módulo IGBT, FS75R12KT3GBOSA1, 100 A, 1200 V, Módulo (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 100 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Disipación de Potencia Máxima = 355 W Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo ...

Infineon

FS75R12KT3GBOSA1

a partir de € 1.964,51*
por 10 unidades

Módulo IGBT, FP75R12KT3BOSA1, 105 A, 1200 V, EconoPIM 7 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 105 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 355 W Tipo de Encapsulado = EconoPIM

Infineon

FP75R12KT3BOSA1

€ 1.958,47*
por 10 unidades

Módulo transistor IGBT, SKM150GB12F4G, 150 A, 1200 V 2 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 150 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±15.0V Número de transistores = 2 Configuración = Medio puente

Semikron

SKM150GB12F4G

a partir de € 1.958,436*
por 12 unidades

Módulo IGBT, FP75R12KT4BOSA1, 75 A, 1200 V, EconoPIM 7 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 7 Tipo de Encapsulado = EconoPIM

Infineon

FP75R12KT4BOSA1

€ 1.955,86*
por 10 unidades

Módulo IGBT, FF1500R17IP5BPSA1, N-Canal, 1,5 kA, 1700 V, PRIME3+, 10-Pines 2 Doble (1 oferta)

Infineon

FF1500R17IP5BPSA1

€ 1.926,374*
por 2 unidades

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