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  IGBT (1.553 artículos)

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IGBT, BIDD05N60T, 5 A, 600 V, TO-252 1 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 5 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Disipación de Potencia Máxima = 82 W Tipo de Encapsulado = TO-252
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BIDD05N60T
a partir de € 0,533*
por unidad
 
 unidad
IGBT, BIDD05N60T, 5 A, 600 V, TO-252 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 5 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Disipación de Potencia Máxima = 82 W Tipo de Encapsulado = TO-252
Bourns
BIDD05N60T
a partir de € 0,656*
por unidad
 
 unidades
IGBT, BIDNW30N60H3, 30 A, 600 V, TO-247N 1 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 30 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 230 W Tipo de Encapsulado = TO-247N
Bourns
BIDNW30N60H3
a partir de € 1,86*
por unidad
 
 unidad
IGBT, BIDNW30N60H3, 30 A, 600 V, TO-247N 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 30 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 230 W Tipo de Encapsulado = TO-247N
Bourns
BIDNW30N60H3
a partir de € 2,491*
por unidad
 
 unidades
IGBT, BIDW20N60T, 20 A, 600 V, TO-247 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 20 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 192 W Tipo de Encapsulado = TO-247
Bourns
BIDW20N60T
€ 1.275,00*
por 600 unidades
 
 envase
IGBT, BIDW20N60T, 20 A, 600 V, TO-247 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 20 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 1 Tipo de Encapsulado = TO-247
Bourns
BIDW20N60T
a partir de € 2,268*
por unidad
 
 unidades
IGBT, BIDW30N60T, 30 A, 600 V, TO-247 1 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 30 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 1 Tipo de Encapsulado = TO-247
Bourns
BIDW30N60T
a partir de € 1,84*
por unidad
 
 unidad
IGBT, BIDW30N60T, 30 A, 600 V, TO-247 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 30 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 230 W Tipo de Encapsulado = TO-247
Bourns
BIDW30N60T
a partir de € 2,768*
por unidad
 
 unidades
IGBT, BIDW50N65T, 50 A, 650 V, TO-247 1 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 416 W Tipo de Encapsulado = TO-247
Bourns
BIDW50N65T
a partir de € 2,39*
por unidad
 
 unidad
IGBT, BIDW50N65T, 50 A, 650 V, TO-247 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 416 W Tipo de Encapsulado = TO-247
Bourns
BIDW50N65T
a partir de € 3,555*
por unidad
 
 unidades
IGBT, DGTD120T25S1PT, 50 A, 100 (Pulsed) A, 1200 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A, 100 (Pulsed) A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 348 W Tipo de Encapsulado =...
Diodes
DGTD120T25S1PT
a partir de € 2,51*
por unidad
 
 unidad
IGBT, DGTD120T25S1PT, 50 A, 100 (Pulsed) A, 1200 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple (1 oferta) 
The DGTD120T25S1PT is produced using advanced Field Stop Trench IGBT Technology, which provides low VCE(sat), excellent quality and high-switching performance.High Speed Switching & Low VCE(sat) Lo...
Diodes
DGTD120T25S1PT
€ 3,436*
por unidad
 
 unidad
IGBT, ISL9V3040P3, N-Canal, 21 A, 450 V, TO-220AB, 3-Pines Simple (2 ofertas) 
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
Fairchild
ISL9V3040P3
a partir de € 1,46*
por unidad
 
 unidad
IGBT, ISL9V3040S3ST, N-Canal, 21 A, 450 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple (1 oferta) 
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
Fairchild
ISL9V3040S3ST
a partir de € 1,495*
por unidad
 
 unidades
Módulo IGBT, 7MBR50VB-120-50, N-Canal, 50 A, 1.200 V, M712, 24-Pines Trifásico (1 oferta) 
Módulos IGBT de 7 paquetes, Fuji Electric. Serie V
Fuji Electric
7MBR50VB-120-50
€ 69,904*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, HYG15P120A1K1, N-Canal, 20 A, 1.200 V, 22-Pines Trifásico (1 oferta) 
Módulos IGBT, HY Electronic. Esta gama de módulos IGBT de HY Electronic se suministra en encapsulados estándar del sector con contactos de soldadura diseñados para montaje en PCB. Las aplicaciones ...
HY Electronic
HYG15P120A1K1
a partir de € 333,18*
por 18 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, HYG15P120A1K1, N-Canal, 20 A, 1.200 V, 22-Pines Trifásico (1 oferta) 
Módulos IGBT, HY Electronic. Esta gama de módulos IGBT de HY Electronic se suministra en encapsulados estándar del sector con contactos de soldadura diseñados para montaje en PCB. Las aplicaciones ...
HY Electronic
HYG15P120A1K1
a partir de € 23,67*
por unidad
 
 unidad
IGBT, 1ED44175N01BXTSA1, N-Canal, 11,9 A, 11,4 V, PG-SOT23-6-3, 6-Pines Emisor común (2 ofertas) 
El controlador de puerta sin inversión de lado bajo de canal único Infineon EiceDRIVER™ de 25 V para IGBT con corrientes de fuente y disipador típicas de 2,6 A en un encapsulado PG-SOT23 pequeño de...
Infineon
1ED44175N01BXTSA1
a partir de € 0,32*
por unidad
 
 unidad
IGBT, 1ED44175N01BXTSA1, N-Canal, 11,9 A, 11,4 V, PG-SOT23-6-3, 6-Pines Emisor común (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 11,9 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 11,4 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 500 mW Tipo de Encapsulado = PG-SOT23-6-3 ...
Infineon
1ED44175N01BXTSA1
a partir de € 0,48*
por unidad
 
 unidades
IGBT, AIGW40N65H5XKSA1, 74 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines (2 ofertas) 
El transistor bipolar Infineon de puerta aislada con tecnología H5 de alta velocidad ofrece la mejor eficiencia de su clase en topologías de conmutación dura y resonante.Eficiencia alta Pérdidas de...
Infineon
AIGW40N65H5XKSA1
a partir de € 4,09*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AIGW40N65H5XKSA1, 74 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 74 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20 V, ±30 V Disipación de Potencia Máxima = 250 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247...
Infineon
AIGW40N65H5XKSA1
a partir de € 4,762*
por unidad
 
 unidades
IGBT, AIGW50N65F5XKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines (3 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20 V, ±30 V Disipación de Potencia Máxima = 270 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247...
Infineon
AIGW50N65F5XKSA1
a partir de € 3,57*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AIGW50N65F5XKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines (1 oferta) 
El transistor bipolar Infineon de puerta aislada rápida de alta velocidad de tres contactos.Eficiencia alta Pérdidas de conmutación bajas Mayor fiabilidad Baja interferencia electromagnética
Infineon
AIGW50N65F5XKSA1
a partir de € 4,416*
por unidad
 
 unidades
Módulo IGBT, AIKQ120N60CTXKSA1, N-Canal, 2 V, PG-TO247-3, 3-Pines Simple (1 oferta) 
Tensión Máxima Colector-Emisor = 2 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 5.7V Disipación de Potencia Máxima = 833 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3 Tipo de Canal = N Conteo de Pines = 3 Configuración d...
Infineon
AIKQ120N60CTXKSA1
a partir de € 297,75*
por 30 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, AIKQ120N60CTXKSA1, N-Canal, 2 V, PG-TO247-3, 3-Pines Simple (1 oferta) 
El IGBT Infineon dispone de tecnología TRENCHSTOP y FIELD STOP para aplicaciones de automoción 600V. Ofrece una distribución de parámetros muy ajustada, alta resistencia, comportamiento estable a t...
Infineon
AIKQ120N60CTXKSA1
a partir de € 10,544*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AIKQ120N75CP2XKSA1, 120 A, 750 V, TO247PLUS 3 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 120 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 750 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 15V Número de transistores = 3 Tipo de Encapsulado = TO247PLUS
Infineon
AIKQ120N75CP2XKSA1
a partir de € 8,85*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AIKQ120N75CP2XKSA1, 120 A, 750 V, TO247PLUS 3 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 120 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 750 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 15V Disipación de Potencia Máxima = 170 W Tipo de Encapsulado = TO247PLUS
Infineon
AIKQ120N75CP2XKSA1
a partir de € 10,99*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AIKQ200N75CP2XKSA1, 200 A, 750 V, TO247PLUS 3 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 750 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 15V Disipación de Potencia Máxima = 1,07 kW Tipo de Encapsulado = TO247PLUS
Infineon
AIKQ200N75CP2XKSA1
€ 3.412,32*
por 240 unidades
 
 envase
IGBT, AIKQ200N75CP2XKSA1, 200 A, 750 V, TO247PLUS 3 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 750 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 15V Número de transistores = 3 Tipo de Encapsulado = TO247PLUS
Infineon
AIKQ200N75CP2XKSA1
a partir de € 15,355*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AIKW20N60CTXKSA1, 40 A, 600 V, PG-TO247-3, 3-Pines (3 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 40 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 166 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3 Conte...
Infineon
AIKW20N60CTXKSA1
a partir de € 3,02*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AIKW20N60CTXKSA1, 40 A, 600 V, PG-TO247-3, 3-Pines (1 oferta) 
El transistor bipolar de Infineon con puerta aislada con diodo controlado por emisor antiparalelo de recuperación rápida.Eficiencia alta Pérdidas de conmutación bajas Mayor fiabilidad Baja interfer...
Infineon
AIKW20N60CTXKSA1
a partir de € 3,887*
por unidad
 
 unidades
IGBT, AIKW30N60CTXKSA1, 60 A, 600 V, PG-TO247-3, 3-Pines (3 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 60 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 187 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3 Conte...
Infineon
AIKW30N60CTXKSA1
a partir de € 2,94*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AIKW30N60CTXKSA1, 60 A, 600 V, PG-TO247-3, 3-Pines (1 oferta) 
El transistor bipolar de Infineon con puerta aislada dispone de tecnología de parada de campo con diodo controlado por emisor antiparalelo de recuperación rápida suave.Eficiencia alta Pérdidas de c...
Infineon
AIKW30N60CTXKSA1
a partir de € 4,36*
por unidad
 
 unidades
IGBT, AIKW40N65DF5XKSA1, 74 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines (3 ofertas) 
El transistor bipolar Infineon de puerta aislada con tecnología F5 de alta velocidad ofrece la mejor eficiencia de su clase en topologías de conmutación dura y resonante.Eficiencia alta Pérdidas de...
Infineon
AIKW40N65DF5XKSA1
a partir de € 4,14*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AIKW40N65DF5XKSA1, 74 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 74 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20 V, ±30 V Disipación de Potencia Máxima = 250 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247...
Infineon
AIKW40N65DF5XKSA1
a partir de € 5,178*
por unidad
 
 unidades
IGBT, AIKW50N60CTXKSA1, 80 A, 600 V, PG-TO263-3, 3-Pines (2 ofertas) 
El transistor bipolar Infineon Fieldstop Technology con puerta aislada y diodo controlado por emisor antiparalelo de recuperación rápida suave.Eficiencia alta Pérdidas de conmutación bajas Mayor fi...
Infineon
AIKW50N60CTXKSA1
a partir de € 4,85*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AIKW50N60CTXKSA1, 80 A, 600 V, PG-TO263-3, 3-Pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 250 W Tipo de Encapsulado = PG-TO263-3 Conte...
Infineon
AIKW50N60CTXKSA1
a partir de € 6,742*
por unidad
 
 unidades
IGBT, AIKW50N65RF5XKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines Simple (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20.0V Disipación de Potencia Máxima = 250 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3 Con...
Infineon
AIKW50N65RF5XKSA1
€ 1.659,36*
por 240 unidades
 
 envase
IGBT, AIKW50N65RF5XKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines Simple (1 oferta) 
El AIKW50N65RF5 de Infineon es un dispositivo de potencia híbrido con tecnología de potencia SiC con el mejor rendimiento de coste es el aspecto más importante para aplicaciones auxiliares en vehíc...
Infineon
AIKW50N65RF5XKSA1
a partir de € 7,851*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AIKW75N60CTXKSA1, 80 A, 600 V, PG-TO247-3, 3-Pines (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 428 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3 Conte...
Infineon
AIKW75N60CTXKSA1
a partir de € 6,39*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AIKW75N60CTXKSA1, 80 A, 600 V, PG-TO247-3, 3-Pines (1 oferta) 
El transistor bipolar de Infineon con puerta aislada con coeficiente de temperatura positivo en tensión de saturación.Eficiencia alta Pérdidas de conmutación bajas Mayor fiabilidad Baja interferenc...
Infineon
AIKW75N60CTXKSA1
a partir de € 8,594*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AUIRG4BC30SSTRL, 34 A, 600 V, D2PAK 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 34 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 100 W Tipo de Encapsulado = D2PAK
Infineon
AUIRG4BC30SSTRL
€ 2.903,20*
por 800 unidades
 
 envase
IGBT, AUIRG4BC30SSTRL, 34 A, 600 V, D2PAK 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 34 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 100 W Tipo de Encapsulado = D2PAK
Infineon
AUIRG4BC30SSTRL
a partir de € 5,188*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AUIRG4PH50S, 141 A, 1.200 V, TO-247AC (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 141 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 543 W Tipo de Encapsulado = TO-247AC
Infineon
AUIRG4PH50S
a partir de € 6,17*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AUIRG4PH50S, 141 A, 1.200 V, TO-247AC (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 141 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 543 W Tipo de Encapsulado = TO-247AC
Infineon
AUIRG4PH50S
a partir de € 8,91*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AUIRGDC0250, 141 A, 1.200 V, Super-TO-220 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 141 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 543 W Configuración = Único
Infineon
AUIRGDC0250
a partir de € 258,40*
por 50 unidades
 
 envase
IGBT, AUIRGDC0250, 141 A, 1.200 V, Super-TO-220 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 141 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 543 W Tipo de Encapsulado = Super-TO-220
Infineon
AUIRGDC0250
a partir de € 5,574*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AUIRGP4062D-E, N-Canal, 48 A, 600 V, TO-247AD, 3-Pines (1 oferta) 
El transistor bipolar de Infineon con puerta aislada con diodo de recuperación suave ultrarrápido.Eficiencia alta Pérdidas de conmutación bajas Mayor fiabilidad Baja interferencia electromagnética
Infineon
AUIRGP4062D-E
a partir de € 4,693*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AUIRGP50B60PD1E, N-Canal, 75 A, 600 V, TO-247AD, 3-Pines, 150kHz Simple (1 oferta) 
IGBT de empaquetado conjunto de más de 21 A, Infineon. Los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de Infineon proporcionan al usuario una amplia gama de opciones para garantizar que sus ap...
Infineon
AUIRGP50B60PD1E
a partir de € 7,267*
por unidad
 
 unidad
Infineon
BSC018NE2LSATMA1
a partir de € 0,473*
por unidad
 
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