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  IGBT (1.553 artículos)

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Módulo IGBT, NXH450B100H4Q2F2SG, 101 A, 1.000 V, Q2BOOST - Caja 180BR (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 101 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.000 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 79 W
onsemi
NXH450B100H4Q2F2SG
€ 6.427,08*
por 36 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, NXH300B100H4Q2F2PG, 73 A, 1.000 V, 93x47 (ENCAJE A PRESIÓN) (contactos de encaje a presión sin plomo y sin (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 73 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.000 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 79 W
onsemi
NXH300B100H4Q2F2PG
€ 6.002,496*
por 36 unidades
 
 envase
Infineon
BSC16DN25NS3GATMA1
€ 5.755,00*
por 5.000 unidades
 
 envase
IGBT, FZ250R65KE3NPSA1, 250 A, 6500 V, CTI, 5-Pines 3 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 250 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 6500 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 1000 kW Tipo de Encapsulado = CTI Tipo de ...
Infineon
FZ250R65KE3NPSA1
a partir de € 5.235,46*
por 4 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FF1800R23IE7PBPSA1, 1,8 kA, 2300 V, Primero 3+ (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 1,8 kA Tensión Máxima Colector-Emisor = 2300 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 2700 kW Tipo de Encapsulado = Primero 3+ ...
Infineon
SP005678645
€ 4.801,026*
por 3 unidades
 
 envase
onsemi
NXH020F120MNF1PTG
€ 4.352,544*
por 28 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FS950R08A6P2BBPSA1, 950 A, 750 V, HybridPACK 6 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 950 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 750 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 870 W Tipo de Encapsulado = HybridPACK
Infineon
FS950R08A6P2BBPSA1
€ 3.764,988*
por 6 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FS380R12A6T4BBPSA1, N-Canal, 760 A., 1.200 V, AG-HYBRIDD-1, 33-Pines 6 (1 oferta) 
La unidad HybridPACKTM de Infineon es un módulo de seis unidades muy compacto optimizado para vehículos híbridos y eléctricos. El módulo de potencia implementa la IGBT4 generación. El chipset tiene...
Infineon
FS380R12A6T4BBPSA1
€ 3.618,426*
por 6 unidades
 
 envase
Módulo transistor IGBT, SKM400GB12F4, 400 A, 1200 V 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 400 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±15.0V Número de transistores = 1 Configuración = Medio puente
Semikron
SKM400GB12F4
a partir de € 3.511,524*
por 12 unidades
 
 envase
IGBT, AIKQ200N75CP2XKSA1, 200 A, 750 V, TO247PLUS 3 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 750 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 15V Disipación de Potencia Máxima = 1,07 kW Tipo de Encapsulado = TO247PLUS
Infineon
AIKQ200N75CP2XKSA1
€ 3.412,32*
por 240 unidades
 
 envase
IGBT, SI7489DP-T1-E3 (1 oferta) 
IGBT
Vishay
SI7489DP-T1-E3
€ 3.318,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
IGBT, FP200R12N3T7BPSA1, N-Canal, 200 A, 1.200 V, Módulo, 46-Pines 7 Trifásico (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo d...
Infineon
FP200R12N3T7BPSA1
€ 3.221,39*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FF1800R23IE7BPSA1, 1,8 kA, 2300 V, Primero 3+ (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 1,8 kA Tensión Máxima Colector-Emisor = 2300 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 2700 kW Tipo de Encapsulado = Primero 3+ ...
Infineon
SP005349542
€ 3.137,936*
por 2 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, PM100CG1B120#300G, N-Canal, 100, 1.200 V, Módulo 6 Trifásico (1 oferta) 
Mitsubishi Electric 1200V Intelligent Module Power tiene un IGBT de alto rendimiento y alta fiabilidad con seis controladores por módulo. Tiene 150 A de corriente continua máxima de colector y en e...
Mitsubishi
PM100CG1B120300G
a partir de € 3.001,98*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo de potencia inteligente, NFAM2012L5BT, N-Canal, 20 A, 1.200 V, DIP39 6 (1 oferta) 
EL ON Semiconductor NFAM2012L5BT es un módulo de potencia de inversor completamente integrado compuesto de un controlador de puerta de lado alto independiente, LVIC, seis IGBT y un sensor de temper...
onsemi
NFAM2012L5BT
€ 2.980,80*
por 90 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FF2400RB12IP7PBPSA1, 2,4 kA, 1.200 V, Primero 3+ (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 2,4 kA Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = Primero 3+ T...
Infineon
SP005545663
€ 2.949,816*
por 3 unidades
 
 envase
IGBT, AUIRG4BC30SSTRL, 34 A, 600 V, D2PAK 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 34 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 100 W Tipo de Encapsulado = D2PAK
Infineon
AUIRG4BC30SSTRL
€ 2.903,20*
por 800 unidades
 
 envase
IGBT, NFAQ0560R46T, 2,6 V, NFAQ (1 oferta) 
Tensión Máxima Colector-Emisor = 2,6 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 600V Tipo de Encapsulado = NFAQ
onsemi
NFAQ0560R46T
a partir de € 2.885,20*
por 400 unidades
 
 envase
Módulo transistor IGBT, SKM300GB12F4, 300 A, 1200 V 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 300 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±15.0V Número de transistores = 2 Configuración = Medio puente
Semikron
SKM300GB12F4
a partir de € 2.806,008*
por 12 unidades
 
 envase
IGBT, FP150R12N3T7BPSA1, N-Canal, 150 A, 1.200 V, Módulo, 43-Pines 7 Trifásico (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 150 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo d...
Infineon
FP150R12N3T7BPSA1
€ 2.795,79*
por 10 unidades
 
 envase
onsemi
NXH040F120MNF1PTG
€ 2.782,388*
por 28 unidades
 
 envase
IGBT, STGSB200M65DF2AG, NPN-Canal, 200 A, 650 V, ECOPACK, 9-Pines 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 714 W Tipo de Encapsulado = ECOPACK Tipo de...
ST Microelectronics
STGSB200M65DF2AG
a partir de € 2.765,20*
por 200 unidades
 
 envase
IGBT, RGWX5TS65DHRC11, N-Canal, 50 A, 650 V, TO-247N, 3-Pines 1 Emisor común (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Disipación de Potencia Máxima = 348 W Tipo de Encapsulado = TO-247N Tipo de ...
ROHM Semiconductor
RGWX5TS65DHRC11
€ 2.763,45*
por 450 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, CM600DY-13T#300G, 600 A, 600 V, 94x48 mm 2 Doble (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 600 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 4,17 kW Tipo de Encapsulado = 94x48 mm Confi...
Mitsubishi
CM600DY-13T300G
€ 2.552,90*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FF400R17KE4HOSA1, N-Canal, 400 A, 1700 V, 62 mm, 7-Pines 2 Doble (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 400 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1700 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Número de transistores = 2 Tipo de Encapsulado = 62 mm Tipo de Canal = N Co...
Infineon
FF400R17KE4HOSA1
€ 2.525,22*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo transistor IGBT, SKM400GAL12F4, 400 A, 1200 V 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 400 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±15.0V Número de transistores = 1
Semikron
SKM400GAL12F4
a partir de € 2.454,96*
por 12 unidades
 
 envase
Módulo transistor IGBT, SKM400GAR12F4, 400 A, 1200 V 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 400 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±15.0V Número de transistores = 1
Semikron
SKM400GAR12F4
a partir de € 2.453,82*
por 12 unidades
 
 envase
IGBT, FP150R12KT4BPSA1, 150 A, 1.200 V (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 150 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Configuración = Puente trifásico Ti...
Infineon
FP150R12KT4BPSA1
a partir de € 2.388,95*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FS200R06KE3BOSA1, 200 A, 600 V, EconoPACK 6 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 6 Tipo de Encapsulado = EconoPACK
Infineon
FS200R06KE3BOSA1
€ 2.387,04*
por 10 unidades
 
 envase
IGBT, RGTH00TS65DGC13, 85 A, 650 V, TO-247GE 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 85 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Disipación de Potencia Máxima = 277 W Tipo de Encapsulado = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGTH00TS65DGC13
€ 2.359,80*
por 600 unidades
 
 envase
Módulo transistor IGBT, SKM200GB12F4, 200 A, 1200 V 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±15.0V Número de transistores = 2 Configuración = Medio puente
Semikron
SKM200GB12F4
a partir de € 2.317,452*
por 12 unidades
 
 envase
IGBT, RGWSX2TS65DGC13, 104 A, 650 V, TO-247GE 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 104 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Disipación de Potencia Máxima = 288 W Tipo de Encapsulado = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWSX2TS65DGC13
€ 2.308,20*
por 600 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FF600R12KE4EBOSA1, N-Canal, 600 A, 1.200 V, 62 mm, 7-Pines 2 Emisor común (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 600 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Número de transistores = 2 Configuración = Emisor común Tipo de Canal = N ...
Infineon
FF600R12KE4EBOSA1
€ 2.275,10*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FZ1800R45HL4S7BPSA1, 1,8 kA, 4.500 V, AG-IHVB190 3 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 1,8 kA Tensión Máxima Colector-Emisor = 4.500 V Disipación de Potencia Máxima = 4000 kW Tipo de Encapsulado = AG-IHVB190
Infineon
FZ1800R45HL4S7BPSA1
€ 2.166,32*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FS150R12KT3BOSA1, 200 A, 1200 V 6 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Número de transistores = 6
Infineon
FS150R12KT3BOSA1
€ 2.145,51*
por 10 unidades
 
 envase
IGBT, NFAM0512L5BT, N-Canal, 5 A, 1.200 V, DIP, 39-Pines 6 (1 oferta) 
EL on Semiconductor NFAM0512L5BT es un módulo de potencia de inversor completamente integrado de− compuesto por un controlador de puerta de lado alto independiente, LVIC, seis IGBT y un sensor de t...
onsemi
NFAM0512L5BT
€ 2.117,88*
por 90 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FZ1800R45HL4BPSA1, 1,8 kA, 4.500 V, AG-IHVB190 3 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 1,8 kA Tensión Máxima Colector-Emisor = 4.500 V Disipación de Potencia Máxima = 4000 kW Tipo de Encapsulado = AG-IHVB190
Infineon
FZ1800R45HL4BPSA1
€ 2.073,179*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FF1800R17IP5BPSA1, N-Canal, 1,8 kA, 1700 V, AG-PRIME3+ Emisor común (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 1,8 kA Tensión Máxima Colector-Emisor = 1700 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 1,8 kW Tipo de Encapsulado = AG-PRIME3+ Ti...
Infineon
FF1800R17IP5BPSA1
€ 2.058,42*
por 2 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, CM450DY-24T #300G, N-Canal, 450, 1.200 V, Módulo 2 Medio puente doble (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 450 Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Número de transistores = 2 Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo de Montaje = Mo...
Mitsubishi
CM450DY-24T 300G
a partir de € 2.025,60*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, PM50CG1B120#300G, N-Canal, 50, 1.200 V, Módulo 6 Trifásico (1 oferta) 
Mitsubishi Electric 1200V Intelligent Module Power tiene un IGBT de alto rendimiento y alta fiabilidad con seis controladores por módulo. Tiene 50 A de corriente continua máxima de colector y en es...
Mitsubishi
PM50CG1B120300G
a partir de € 2.018,87*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FP75R12KT4B11BOSA1, 75 A, 1200 V 7 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 7
Infineon
FP75R12KT4B11BOSA1
€ 1.980,48*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FS75R12KT3GBOSA1, 100 A, 1200 V, Módulo (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 100 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Disipación de Potencia Máxima = 355 W Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo ...
Infineon
FS75R12KT3GBOSA1
a partir de € 1.964,51*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo transistor IGBT, SKM150GB12F4G, 150 A, 1200 V 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 150 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±15.0V Número de transistores = 2 Configuración = Medio puente
Semikron
SKM150GB12F4G
a partir de € 1.958,436*
por 12 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FP75R12KT4BOSA1, 75 A, 1200 V, EconoPIM 7 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 7 Tipo de Encapsulado = EconoPIM
Infineon
FP75R12KT4BOSA1
€ 1.955,86*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FF1500R17IP5BPSA1, N-Canal, 1,5 kA, 1700 V, PRIME3+, 10-Pines 2 Doble (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 1,5 kA Tensión Máxima Colector-Emisor = 1700 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = PRIME3+ Tipo d...
Infineon
FF1500R17IP5BPSA1
€ 1.926,374*
por 2 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, CM600DX -24T #300G, N-Canal, 600, 1.200 V, Módulo 2 Medio puente doble (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 600 Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Número de transistores = 2 Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo de Montaje = Mo...
Mitsubishi
CM600DX -24T 300G
a partir de € 1.888,56*
por 9 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, CM400DY-13T#300G, 400 A, 600 V, 94x48 mm 2 Doble (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 400 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 2,83 kW Tipo de Encapsulado = 94x48 mm Confi...
Mitsubishi
CM400DY-13T300G
€ 1.887,03*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FF450R12ME7B11BPSA1, 450 A, 1.200 V, AG-ECONOD 2 Serie (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 450 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = AG-ECONOD Tipo...
Infineon
FF450R12ME7B11BPSA1
€ 1.875,91*
por 10 unidades
 
 envase
onsemi
NXH80B120MNQ0SNG
€ 1.859,304*
por 24 unidades
 
 envase
IGBT, FP40R12KT3BPSA1, 35 A, 1.200 V, AG-ECONO2C-311 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 35 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 210 W Tipo de Encapsulado = AG-ECONO2C-311
Infineon
FP40R12KT3BPSA1
€ 1.857,315*
por 15 unidades
 
 paquete
IGBT, RGCL80TS60GC13, 65 A, 600 V, TO-247GE 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 65 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Disipación de Potencia Máxima = 148 W Tipo de Encapsulado = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL80TS60GC13
€ 1.839,60*
por 600 unidades
 
 envase
IGBT, FF450R12KE4EHOSA1, 450 A, 1.200 V, CTI, 7-Pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 450 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 2,4 kW Tipo de Encapsulado = CTI Tipo de ...
Infineon
FF450R12KE4EHOSA1
a partir de € 1.832,86*
por 10 unidades
 
 envase
IGBT, RGWS00TS65DGC13, 88 A, 650 V, TO-247GE 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 88 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Número de transistores = 1 Configuración = Colector único, emisor simple, pu...
ROHM Semiconductor
RGWS00TS65DGC13
€ 1.830,00*
por 600 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, BSM200GA120DN2HOSA1, N-Canal, 300 A, 1.200 V, Módulo 62MM, 5-Pines Simple (1 oferta) 
Módulo IGBT, Infineon. La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz. Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como l...
Infineon
BSM200GA120DN2
€ 1.819,42*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FF450R12KT4HOSA1, N-Canal, 580 A, 1.200 V, Módulo 62MM, 3-Pines Serie (1 oferta) 
Módulo IGBT, Infineon. La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz. Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como l...
Infineon
FF450R12KT4
€ 1.799,67*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FZ2400R33HE4BPSA1, 2,4 kA, 3300 V., AG-IHVB190 3 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 2,4 kA Tensión Máxima Colector-Emisor = 3300 V. Disipación de Potencia Máxima = 5400 kW Tipo de Encapsulado = AG-IHVB190
Infineon
FZ2400R33HE4BPSA1
a partir de € 1.799,39*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FF600R07ME4B11BPSA1, 650 V, AG-ECONOD-411 (1 oferta) 
Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Tipo de Encapsulado = AG-ECONOD-411
Infineon
FF600R07ME4B11BPSA1
€ 1.777,40*
por 10 unidades
 
 paquete
Módulo IGBT, FS200R12PT4BOSA1, 280 A, 1200 V, EconoPACK 6 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 280 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 1 kW Tipo de Encapsulado = EconoPACK
Infineon
FS200R12PT4BOSA1
€ 1.766,274*
por 6 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FP50R12KE3BOSA1, 75 A, 1200 V 7 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 280 W
Infineon
FP50R12KE3BOSA1
€ 1.761,37*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FF900R12IP4BOSA2, 900 A, 1200 V 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 900 MHZ Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 5,1 kW
Infineon
FF900R12IP4BOSA2
€ 1.761,093*
por 3 unidades
 
 envase
IGBT, RGWS80TS65GC13, 71 A, 650 V, TO-247GE 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 71 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Disipación de Potencia Máxima = 202 W Tipo de Encapsulado = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS80TS65GC13
€ 1.737,00*
por 600 unidades
 
 envase
IGBT, RGCL80TS60DGC13, 65 A, 600 V, TO-247GE 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 65 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Disipación de Potencia Máxima = 148 W Tipo de Encapsulado = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL80TS60DGC13
€ 1.733,40*
por 600 unidades
 
 envase
IGBT, AFGHL40T65SQD, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 30 Simple (1 oferta) 
El Field Stop Trench IGBT DE ON Semiconductor ofrece un rendimiento óptimo tanto para topología de conmutación dura como suave en aplicaciones de automoción. Es un IGBT independiente.Certificación ...
onsemi
AFGHL40T65SQD
€ 1.684,80*
por 450 unidades
 
 envase
IGBT, FF900R12ME7PB11BPSA1, 900 MHZ, 1.200 V, 7-Pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 900 MHZ Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Configuración = Doble Tipo de Mon...
Infineon
FF900R12ME7PB11BPSA1
a partir de € 1.683,18*
por 6 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FS150R12KT4B11BOSA1, 150 A, 1.200 V 6 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 150 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Disipación de Potencia Máxima = 750 W
Infineon
FS150R12KT4B11BOSA1
€ 1.677,47*
por 10 unidades
 
 envase
IGBT, RGWS80TS65DGC13, 71 A, 650 V, TO-247GE 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 71 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Número de transistores = 1 Tipo de Encapsulado = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS80TS65DGC13
€ 1.672,80*
por 600 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, NFVA25012NP2T, DIP38 (1 oferta) 
EL ON Semiconductor NFVA25012NP2T es un Advanced Auto IPM módulo que proporciona una etapa de salida de inversor de alto rendimiento y completamente equipada para vehículos híbridos y eléctricos.Te...
onsemi
NFVA25012NP2T
€ 1.661,976*
por 24 unidades
 
 envase
IGBT, AIKW50N65RF5XKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines Simple (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20.0V Disipación de Potencia Máxima = 250 W Tipo de Encapsulado = PG-TO247-3 Con...
Infineon
AIKW50N65RF5XKSA1
€ 1.659,36*
por 240 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FP100R06KE3BOSA1, 100 A, 600 V, Módulo (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 100 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Disipación de Potencia Máxima = 335 W Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo d...
Infineon
FP100R06KE3BOSA1
a partir de € 1.648,38*
por 10 unidades
 
 envase
IGBT, FP35R12KT4BPSA1, 35 A, 1.200 V, AG-ECONO2B-411 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 35 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 210 W Tipo de Encapsulado = AG-ECONO2B-411
Infineon
FP35R12KT4BPSA1
€ 1.645,95*
por 15 unidades
 
 paquete
IGBT, RGCL60TS60DGC13, 48 A, 600 V, TO-247GE 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 48 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Disipación de Potencia Máxima = 111 W Tipo de Encapsulado = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL60TS60DGC13
€ 1.605,60*
por 600 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FF1800R23IE7PBPSA1, 1,8 kA, 2300 V, Primero 3+ (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 1,8 kA Tensión Máxima Colector-Emisor = 2300 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 2700 kW Tipo de Encapsulado = Primero 3+ ...
Infineon
SP005678645
€ 1.600,345*
por unidad
 
 unidad
IGBT, RGWS00TS65GC13, 88 A, 650 V, TO-247GE 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 88 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Número de transistores = 1 Tipo de Encapsulado = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS00TS65GC13
€ 1.594,80*
por 600 unidades
 
 envase
IGBT, RGTV80TK65GVC11, N-Canal, 23 A, 650 V, TO-3PFM, 3-Pines 1 Emisor común (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 23 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Número de transistores = 1 Tipo de Encapsulado = TO-3PFM Tipo de Montaje = M...
ROHM Semiconductor
RGTV80TK65GVC11
€ 1.581,30*
por 450 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, CM450DX-13T#300G, 450 A, 600 V, 122 x 62 mm 2 Doble (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 450 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 1,69 kW Tipo de Encapsulado = 122 x 62 mm Co...
Mitsubishi
CM450DX-13T300G
€ 1.576,83*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FF1800R12IE5PBPSA1, N-Canal, 1,8 kA, 1.200 V, PRIME3+, 10-Pines 2 Doble (1 oferta) 
El módulo IGBT doble Infineon PrimePack con tecnología de interconexión TRENCHSTOP IGBT5 y .XT. Tiene una tensión de emisor de colector de 1.800 V. Los módulos IGBT de parada de campo y TRENCHSTOP ...
Infineon
FF1800R12IE5PBPSA1
€ 1.576,536*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FS200R12PT4PBOSA1, N-Canal, 200 A, 1.200 V, Módulo, 20-Pines 6 Paquete de seis (1 oferta) 
El módulo IGBT Infineon EasyPack de seis paquetes con tecnología de contacto TRENCHSTOP IGBT4, NTC y Pressfit. Tiene una tensión de emisor de colector de 1.200 V y una corriente de colector de 200 ...
Infineon
FS200R12PT4PBOSA1
€ 1.575,63*
por 6 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0PG, 61 A, 1.200 V, Contactos de encaje a presión Case 180BF (sin plomo y sin haluros) 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 61 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 186 W
onsemi
NXH100B120H3Q0PG
€ 1.574,616*
por 24 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0SG, 61 A, 1.200 V, Contactos de soldadura Case 180AJ (sin plomo y sin haluros) 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 61 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 186 W
onsemi
NXH100B120H3Q0SG
€ 1.574,616*
por 24 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FF1800R23IE7BPSA1, 1,8 kA, 2300 V, Primero 3+ (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 1,8 kA Tensión Máxima Colector-Emisor = 2300 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 2700 kW Tipo de Encapsulado = Primero 3+ ...
Infineon
SP005349542
€ 1.568,972*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, CM300DY-13T#300G, 300 A, 600 V, 94x48 mm 2 Doble (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 300 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 2,21 kW Tipo de Encapsulado = 94x48 mm Confi...
Mitsubishi
CM300DY-13T300G
€ 1.566,00*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, CM300DY-24T #300G, N-Canal, 300, 1.200 V, Módulo 2 Medio puente doble (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 300 Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Número de transistores = 2 Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo de Montaje = Mo...
Mitsubishi
CM300DY-24T 300G
a partir de € 1.528,62*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FF300R12KT4HOSA1, 450 A, 1200 V 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 450 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 1,6 kW
Infineon
FF300R12KT4HOSA1
€ 1.513,84*
por 10 unidades
 
 envase
IGBT, RGWS60TS65DGC13, 51 A, 650 V, TO-247GE 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 51 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Disipación de Potencia Máxima = 156 W Tipo de Encapsulado = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS60TS65DGC13
€ 1.513,20*
por 600 unidades
 
 envase
IGBT, FS100R07N2E4BPSA1, 100 A, 650 V, AG-ECONO2B-411 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 100 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 335 W Tipo de Encapsulado = AG-ECONO2B-411
Infineon
FS100R07N2E4BPSA1
€ 1.488,165*
por 15 unidades
 
 paquete
Módulo IGBT, FS150R12PT4BOSA1, 200 A, 1200 V, Módulo (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Disipación de Potencia Máxima = 680 W Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo ...
Infineon
FS150R12PT4BOSA1
a partir de € 1.484,76*
por 6 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FF225R17ME7B11BPSA1, 225 A, 1700 V 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 225 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1700 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 2
Infineon
FF225R17ME7B11BPSA1
€ 1.480,64*
por 10 unidades
 
 envase
IGBT, AFGHL50T65SQD, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 30 Simple (1 oferta) 
El Field Stop Trench IGBT DE ON Semiconductor ofrece un rendimiento óptimo tanto para topología de conmutación dura como suave en aplicaciones de automoción. Es un IGBT independiente.Certificación ...
onsemi
AFGHL50T65SQD
€ 1.478,25*
por 450 unidades
 
 envase
IGBT, F3L600R10W4S7FC22BPSA1, 310 A, 950 V, Módulo EasyPACK (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 310 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 950 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 20 mW Tipo de Encapsulado = Módulo EasyPACK
Infineon
SP005434947
€ 1.453,878*
por 6 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FF450R12ME4EB11BPSA1, N-Canal, 450 A, 1.200 V, ECONODUAL, 13-Pines 2 Emisor común (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 450 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Número de transistores = 2 Tipo de Encapsulado = ECONODUAL Tipo de Canal =...
Infineon
FF450R12ME4EB11BPSA1
€ 1.450,848*
por 6 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FZ1600R33HE4BPSA1, 1,6 kA, 3300 V., AG-IHVB130 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 1,6 kA Tensión Máxima Colector-Emisor = 3300 V. Disipación de Potencia Máxima = 3600 kW Tipo de Encapsulado = AG-IHVB130
Infineon
FZ1600R33HE4BPSA1
€ 1.437,431*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, F3L150R12W2H3B11BPSA1, 75 A, 1200 V, Módulo (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Disipación de Potencia Máxima = 500 W Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo d...
Infineon
F3L150R12W2H3B11BPSA1
a partir de € 1.421,55*
por 15 unidades
 
 envase
IGBT, FF600R12IE4BOSA1, 600 A, 1.200 V, AG-PRIME2 2 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 600 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 2 Tipo de Encapsulado = AG-PRIME2 Tipo de Montaj...
Infineon
FF600R12IE4BOSA1
€ 1.409,919*
por 3 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, CM150TX -24T #300G, N-Canal, 150, 1.200 V, Módulo 6 Trifásico (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 150 Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Número de transistores = 6 Tipo de Encapsulado = Módulo Tipo de Montaje = Mo...
Mitsubishi
CM150TX -24T 300G
a partir de € 1.406,439*
por 9 unidades
 
 envase
IGBT, FP15R12KE3GBPSA1, 1.200 V, AG-ECONO2C-311 (1 oferta) 
Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 105 W Tipo de Encapsulado = AG-ECONO2C-311
Infineon
FP15R12KE3GBPSA1
a partir de € 1.403,85*
por 15 unidades
 
 paquete
IGBT, FGHL50T65MQDTL4, 80 A, 650 V, TO-247-4LD 30 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Número de transistores = 30 Tipo de Encapsulado = TO-247-4LD
onsemi
FGHL50T65MQDTL4
€ 1.400,40*
por 450 unidades
 
 envase
IGBT, RGCL60TS60GC13, 48 A, 600 V, TO-247GE 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 48 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Disipación de Potencia Máxima = 111 W Tipo de Encapsulado = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL60TS60GC13
€ 1.396,80*
por 600 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FD200R12KE3HOSA1, 295 A, 1200 V, Módulo (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 295 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V Disipación de Potencia Máxima = 1,05 kW Tipo de Encapsulado = Módulo Tip...
Infineon
FD200R12KE3HOSA1
a partir de € 1.359,80*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, CM300DX-13T#300G, 300 A, 600 V, 122 x 62 mm 2 Doble (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 300 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Número de transistores = 2 Tipo de Encapsulado = 122 x 62 mm Configuración d...
Mitsubishi
CM300DX-13T300G
€ 1.357,50*
por 10 unidades
 
 envase
Módulo IGBT, FZ1600R33HE4BPSA1, 1,6 kA, 3300 V., AG-IHVB130 2 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 1,6 kA Tensión Máxima Colector-Emisor = 3300 V. Disipación de Potencia Máxima = 3600 kW Tipo de Encapsulado = AG-IHVB130
Infineon
FZ1600R33HE4BPSA1
a partir de € 1.355,79*
por unidad
 
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