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  IGBT (159 artículos)

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AEC-Q101 IGBT, AFGB40T65SQDN, N-Canal, 80 A, 650 V, D2PAK, 3-Pines 1 Simple (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 238 W Tipo de Encapsulado = D2PAK Tipo de Mo...
onsemi
AFGB40T65SQDN
€ 1.984,80*
por 800 unidades
 
 envase
AEC-Q101 IGBT, AFGB40T65SQDN, N-Canal, 80 A, 650 V, D2PAK, 3-Pines 1 Simple (1 oferta) 
Using the novel field stop 4th generation IGBT technology. AFGB40T65SQDN offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficiency operation in various a...
onsemi
AFGB40T65SQDN
a partir de € 5,802*
por 2 unidades
 
 envase
AEC-Q101 IGBT, AFGHL40T65SPD, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 1 Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Montaje = Mo...
onsemi
AFGHL40T65SPD
a partir de € 2,81*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AFGHL40T65SQ, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 30 Simple (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30.0V Disipación de Potencia Máxima = 1 W Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de C...
onsemi
AFGHL40T65SQ
€ 1.307,70*
por 450 unidades
 
 envase
IGBT, AFGHL40T65SQ, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 30 Simple (1 oferta) 
El Field Stop Trench IGBT DE ON Semiconductor ofrece un rendimiento óptimo tanto para topología de conmutación dura como suave en aplicaciones de automoción. Es un IGBT independiente.Certificación ...
onsemi
AFGHL40T65SQ
a partir de € 2,364*
por unidad
 
 unidades
IGBT, AFGHL40T65SQD, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 30 Simple (1 oferta) 
El Field Stop Trench IGBT DE ON Semiconductor ofrece un rendimiento óptimo tanto para topología de conmutación dura como suave en aplicaciones de automoción. Es un IGBT independiente.Certificación ...
onsemi
AFGHL40T65SQD
€ 1.684,80*
por 450 unidades
 
 envase
IGBT, AFGHL40T65SQD, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 30 Simple (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30.0V Número de transistores = 30 Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Canal = N...
onsemi
AFGHL40T65SQD
a partir de € 3,045*
por unidad
 
 unidades
IGBT, AFGHL50T65SQ, N-Canal, 50 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 30 Simple (2 ofertas) 
El Field Stop Trench IGBT DE ON Semiconductor ofrece un rendimiento óptimo tanto para topología de conmutación dura como suave en aplicaciones de automoción. Es un IGBT independiente.Certificación ...
onsemi
AFGHL50T65SQ
a partir de € 1,87*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AFGHL50T65SQ, N-Canal, 50 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 30 Simple (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30.0V Disipación de Potencia Máxima = 268 W Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de...
onsemi
AFGHL50T65SQ
a partir de € 2,495*
por unidad
 
 unidades
IGBT, AFGHL50T65SQD, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 30 Simple (1 oferta) 
El Field Stop Trench IGBT DE ON Semiconductor ofrece un rendimiento óptimo tanto para topología de conmutación dura como suave en aplicaciones de automoción. Es un IGBT independiente.Certificación ...
onsemi
AFGHL50T65SQD
€ 1.478,25*
por 450 unidades
 
 envase
IGBT, AFGHL50T65SQD, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 30 Simple (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30.0V Disipación de Potencia Máxima = 268 W Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de...
onsemi
AFGHL50T65SQD
a partir de € 2,664*
por unidad
 
 unidades
IGBT, AFGHL75T65SQ, N-Canal, 75 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 375 W Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de C...
onsemi
AFGHL75T65SQ
a partir de € 99,42*
por 30 unidades
 
 envase
IGBT, AFGHL75T65SQ, N-Canal, 75 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple (1 oferta) 
on Semiconductor serie AFGHL es un IGBT que ofrece un rendimiento óptimo con pérdidas de conmutación y conducción bajas para operaciones de alta eficiencia en diversas aplicaciones, que no requiere...
onsemi
AFGHL75T65SQ
a partir de € 3,12*
por unidad
 
 unidades
IGBT, AFGHL75T65SQDC, N-Canal, 75 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 375 W Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de C...
onsemi
AFGHL75T65SQDC
a partir de € 234,12*
por 30 unidades
 
 envase
IGBT, AFGHL75T65SQDC, N-Canal, 75 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple (1 oferta) 
on Semiconductor serie AFGHL es un IGBT que ofrece un rendimiento óptimo con pérdidas de conmutación y conducción bajas para operaciones de alta eficiencia en diversas aplicaciones, que no requiere...
onsemi
AFGHL75T65SQDC
a partir de € 6,168*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AFGY100T65SPD, N-Canal, 100 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 100 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 660 W Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de ...
onsemi
AFGY100T65SPD
a partir de € 6,87*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AFGY100T65SPD, N-Canal, 100 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple (1 oferta) 
on Semiconductor serie AFGY es un IGBT con diodo de recuperación rápida suave que ofrece una conducción muy baja y pérdidas de conmutación para un funcionamiento de alta eficiencia en diversas apli...
onsemi
AFGY100T65SPD
a partir de € 6,822*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AFGY120T65SPD, N-Canal, 120 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 120 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 714 W Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de ...
onsemi
AFGY120T65SPD
a partir de € 7,83*
por unidad
 
 unidad
IGBT, AFGY120T65SPD, N-Canal, 120 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple (1 oferta) 
on Semiconductor serie AFGY es un IGBT con diodo de recuperación rápida suave que ofrece una conducción muy baja y pérdidas de conmutación para un funcionamiento de alta eficiencia en diversas apli...
onsemi
AFGY120T65SPD
a partir de € 7,099*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGA40N65SMD, N-Canal, 40 A, 650 V, TO-3PN, 3-Pines Simple (1 oferta) 
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
onsemi
FGA40N65SMD
a partir de € 5,248*
por 2 unidades
 
 envase
IGBT, FGA60N65SMD, N-Canal, 120 A, 650 V, TO-3PN, 3-Pines Simple (2 ofertas) 
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
onsemi
FGA60N65SMD
a partir de € 3,515*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGAF40N60SMD, N-Canal, 80 A, 600 V, TO-3PF, 3-Pines, 1MHZ Simple (1 oferta) 
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
onsemi
FGAF40N60SMD
a partir de € 117,87*
por 30 unidades
 
 envase
IGBT, FGAF40N60SMD, N-Canal, 80 A, 600 V, TO-3PF, 3-Pines, 1MHZ Simple (1 oferta) 
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
onsemi
FGAF40N60SMD
a partir de € 7,814*
por 2 unidades
 
 envase
IGBT, FGAF40N60UFTU, N-Canal, 40 A, 600 V, TO-3PF, 3-Pines Simple (1 oferta) 
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
onsemi
FGAF40N60UFTU
a partir de € 2,357*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGAF40S65AQ, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-3PF, 3-Pines 1 Simple (1 oferta) 
Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductor’s new series of field stop 4th generation of RC IGBTs offer the optimum performance for converter PFC stage of consummer and industrial appl...
onsemi
FGAF40S65AQ
€ 616,32*
por 360 unidades
 
 envase
IGBT, FGAF40S65AQ, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-3PF, 3-Pines 1 Simple (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 1 Tipo de Encapsulado = TO-3PF Tipo de Montaje = Mo...
onsemi
FGAF40S65AQ
€ 10,239*
por 3 unidades
 
 envase
IGBT, FGD3040G2-F085, N-Canal, 41 A, 300 V, DPAK (TO-252), 3-Pines, 1MHZ Simple (1 oferta) 
AEC-Q101. Corrientes nominales aplicables cuando la temperatura de la conexión = +110 °C. IGBT de encendido para automoción, Fairchild Semiconductor. Estos dispositivos IGBT EcoSPARK están optimiza...
onsemi
FGD3040G2_F085
€ 4,87*
por 5 unidades
 
 envases
IGBT, FGD3040G2-F085, N-Canal, 41 A, 300 V, DPAK (TO-252), 3-Pines, 1MHZ Simple (2 ofertas) 
AEC-Q101. Corrientes nominales aplicables cuando la temperatura de la conexión = +110 °C. IGBT de encendido para automoción, Fairchild Semiconductor. Estos dispositivos IGBT EcoSPARK están optimiza...
onsemi
FGD3040G2_F085
a partir de € 0,842*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGH40N60SFDTU, N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple (2 ofertas) 
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
onsemi
FGH40N60SFDTU
a partir de € 3,02*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGH40N60SFDTU, N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple (1 oferta) 
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
onsemi
FGH40N60SFDTU
a partir de € 4,05*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGH40N60SMD, N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple (3 ofertas) 
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
onsemi
FGH40N60SMD
a partir de € 2,19*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGH40N60SMD, N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple (1 oferta) 
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
onsemi
FGH40N60SMD
a partir de € 4,406*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGH40N60SMDF, N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247AB, 3-Pines Simple (1 oferta) 
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
onsemi
FGH40N60SMDF
a partir de € 4,079*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGH40N60UFDTU, N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple (2 ofertas) 
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
onsemi
FGH40N60UFDTU
a partir de € 2,36*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGH40N60UFDTU, N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple (1 oferta) 
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
onsemi
FGH40N60UFDTU
a partir de € 2,961*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGH40T120SMD, N-Canal, 80 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple (2 ofertas) 
IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
onsemi
FGH40T120SMD
a partir de € 4,952*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGH40T120SMD, N-Canal, 80 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple (1 oferta) 
IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
onsemi
FGH40T120SMD
€ 3,97*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGH40T120SQDNL4, P-Canal, 160 A, 1.200 V, TO-247, 4-Pines 1 Simple (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 160 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Disipación de Potencia Máxima = 454 W Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo d...
onsemi
FGH40T120SQDNL4
a partir de € 4,23*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGH40T120SQDNL4, P-Canal, 160 A, 1.200 V, TO-247, 4-Pines 1 Simple (1 oferta) 
Este transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) dispone de una construcción Ultra Field Stop Trench robusta y económica, y ofrece un rendimiento superior en aplicaciones de conmutación exigentes, ...
onsemi
FGH40T120SQDNL4
a partir de € 4,861*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGH4L40T120LQD, 80 A, 1200 V, TO-247 30 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 153 W Tipo de Encapsulado = TO-247
onsemi
FGH4L40T120LQD
€ 2.119,50*
por 450 unidades
 
 envase
IGBT, FGH4L40T120LQD, 80 A, 1200 V, TO-247 30 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Número de transistores = 30 Tipo de Encapsulado = TO-247
onsemi
FGH4L40T120LQD
a partir de € 5,792*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGH4L50T65SQD, 200 A, 650 V, TO-247-4LD 30 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 15V Número de transistores = 30 Tipo de Encapsulado = TO-247-4LD
onsemi
FGH4L50T65SQD
a partir de € 1.076,40*
por 450 unidades
 
 envase
IGBT, FGH4L50T65SQD, 80 A, 650 V, TO-247-4LD 30 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 15V Número de transistores = 30 Tipo de Encapsulado = TO-247-4LD
onsemi
FGH4L50T65SQD
a partir de € 3,87*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGH60N60SMD, N-Canal, 120 A, 600 V, TO-247AB, 3-Pines Simple (3 ofertas) 
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
onsemi
FGH60N60SMD
a partir de € 2,97*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGH60N60SMD, N-Canal, 120 A, 600 V, TO-247AB, 3-Pines Simple (1 oferta) 
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
onsemi
FGH60N60SMD
a partir de € 5,257*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGH60T65SQD-F155, P-Canal, 60 A, 650 V, TO-247 G03, 3-Pines 1 Simple (2 ofertas) 
Con la nueva tecnología Field Stop IGBT, la nueva serie de ON Semiconductor de IGBT Field Stop de 4. generación ofrece un rendimiento óptimo para aplicaciones como inversores solares, SAI, soldador...
onsemi
FGH60T65SQD-F155
a partir de € 3,54*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGH60T65SQD-F155, P-Canal, 60 A, 650 V, TO-247 G03, 3-Pines 1 Simple (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 60 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Número de transistores = 1 Tipo de Encapsulado = TO-247 G03 Tipo de Montaje ...
onsemi
FGH60T65SQD-F155
€ 6,06*
por 2 unidades
 
 envase
IGBT, FGH75T65SHDTL4, P-Canal, 150 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 150 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 455 W Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de ...
onsemi
FGH75T65SHDTL4
a partir de € 3,78*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGH75T65SHDTL4, P-Canal, 150 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple (1 oferta) 
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications wh...
onsemi
FGH75T65SHDTL4
a partir de € 3,822*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGH75T65SQDNL4, P-Canal, 200 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Número de transistores = 1 Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Montaje = M...
onsemi
FGH75T65SQDNL4
a partir de € 4,50*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGH75T65SQDNL4, P-Canal, 200 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple (1 oferta) 
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop IV Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering...
onsemi
FGH75T65SQDNL4
a partir de € 5,337*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGHL40T65MQDT, 60 A, 650 V, TO-247-3L 30 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 60 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 238 W Tipo de Encapsulado = TO-247-3L
onsemi
FGHL40T65MQDT
a partir de € 1,95*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGHL40T65MQDT, 60 A, 650 V, TO-247-3L 30 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 60 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 238 W Tipo de Encapsulado = TO-247-3L
onsemi
FGHL40T65MQDT
a partir de € 3,188*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGHL50T65MQDT, 80 A, 650 V, TO-247-3L 30 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 268 W Tipo de Encapsulado = TO-247-3L
onsemi
FGHL50T65MQDT
a partir de € 2,481*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGHL50T65MQDT, 80 A, 650 V, TO-247-3L 30 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 268 W Tipo de Encapsulado = TO-247-3L
onsemi
FGHL50T65MQDT
a partir de € 3,87*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGHL50T65MQDTL4, 80 A, 650 V, TO-247-4LD 30 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Número de transistores = 30 Tipo de Encapsulado = TO-247-4LD
onsemi
FGHL50T65MQDTL4
€ 1.400,40*
por 450 unidades
 
 envase
IGBT, FGHL50T65MQDTL4, 80 A, 650 V, TO-247-4LD 30 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 268 W Tipo de Encapsulado = TO-247-4LD
onsemi
FGHL50T65MQDTL4
a partir de € 4,386*
por unidad
 
 unidad
IGBT, FGHL50T65SQ, 100 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 100 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 268 W Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de ...
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FGHL50T65SQ
a partir de € 1,77*
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IGBT, FGHL50T65SQ, 100 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple (1 oferta) 
Using the novel field stop 4th generation IGBT technology. FGHL50T65SQ is single IGBT. This IGBT offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficienc...
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FGHL50T65SQ
a partir de € 4,368*
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IGBT, FGHL50T65SQDT, N-Canal, 100 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple (2 ofertas) 
Los IGBT DE on Semiconductor ofrecen el rendimiento óptimo para aplicaciones de inversor solar, SAI, soldador, telecomunicaciones, ESS y PFC donde son esenciales bajas pérdidas de conducción y conm...
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FGHL50T65SQDT
a partir de € 2,33*
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IGBT, FGHL50T65SQDT, N-Canal, 100 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 100 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30.0V Número de transistores = 1 Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Canal = N...
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FGHL50T65SQDT
a partir de € 3,154*
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IGBT, FGHL75T65LQDT, 80 A, 650 V, TO-247-3L 30 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Número de transistores = 30 Tipo de Encapsulado = TO-247-3L
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FGHL75T65LQDT
a partir de € 3,951*
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IGBT, FGHL75T65LQDT, 80 A, 650 V, TO-247-3L 30 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 469 W Tipo de Encapsulado = TO-247-3L
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FGHL75T65LQDT
a partir de € 5,297*
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IGBT, FGHL75T65LQDTL4, 80 A, 650 V, TO-247-4LD 30 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Número de transistores = 30 Tipo de Encapsulado = TO-247-4LD
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FGHL75T65LQDTL4
a partir de € 4,00*
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IGBT, FGHL75T65LQDTL4, 80 A, 650 V, TO-247-4LD 30 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 469 W Tipo de Encapsulado = TO-247-4LD
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FGHL75T65LQDTL4
a partir de € 5,733*
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IGBT, FGHL75T65MQDT, 80 A, 650 V, TO-247-3L 30 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 375 W Tipo de Encapsulado = TO-247-3L
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FGHL75T65MQDT
a partir de € 2,84*
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IGBT, FGHL75T65MQDT, 80 A, 650 V, TO-247-3L 30 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 375 W Tipo de Encapsulado = TO-247-3L
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FGHL75T65MQDT
a partir de € 5,297*
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IGBT, FGHL75T65MQDTL4, 80 A, 650 V, TO-247-4LD 30 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 375 W Tipo de Encapsulado = TO-247-4LD
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FGHL75T65MQDTL4
a partir de € 3,41*
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IGBT, FGHL75T65MQDTL4, 80 A, 650 V, TO-247-4LD 30 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 20V Disipación de Potencia Máxima = 375 W Tipo de Encapsulado = TO-247-4LD
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FGHL75T65MQDTL4
a partir de € 5,25*
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IGBT, FGL40N120ANDTU, N-Canal, 64 A, 1.200 V, TO-264, 3-Pines Simple (1 oferta) 
IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
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FGL40N120ANDTU
a partir de € 9,71*
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IGBT, FGY100T120RWD, N-Canal, 200 A, 1.200 V, TO247-3LD, 3-Pines (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 1,07 kW Tipo de Encapsulado = TO247-3LD T...
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FGY100T120RWD
a partir de € 7,69*
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IGBT, FGY100T120RWD, N-Canal, 200 A, 1.200 V, TO247-3LD, 3-Pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 200 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 1,07 kW Tipo de Encapsulado = TO247-3LD T...
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FGY100T120RWD
a partir de € 10,217*
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IGBT, FGY75N60SMD, N-Canal, 150 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple (1 oferta) 
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
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FGY75N60SMD
€ 105,60*
por 30 unidades
 
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IGBT, FGY75T120SWD, N-Canal, 150 A, 1.200 V, TO247-3LD, 3-Pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 150 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 714 W Tipo de Encapsulado = TO247-3LD Tip...
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FGY75T120SWD
€ 206,43*
por 30 unidades
 
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IGBT, FGY75T120SWD, N-Canal, 150 A, 1.200 V, TO247-3LD, 3-Pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 150 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20V Disipación de Potencia Máxima = 714 W Tipo de Encapsulado = TO247-3LD Tip...
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FGY75T120SWD
a partir de € 7,534*
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IGBT, FGY75T95LQDT, 950 V, TO-247, 3-Pines Simple (1 oferta) 
Trench Field Stop 4th generación Low Vcesat IGBT CO−con diodo nominal de corriente completaTemperatura de conexión máxima: TJ = 175℃ Coeficiente de temperatura positivo para facilitar el funcionami...
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FGY75T95LQDT
a partir de € 204,57*
por 30 unidades
 
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IGBT, FGY75T95LQDT, 950 V, TO-247, 3-Pines Simple (1 oferta) 
Tensión Máxima Colector-Emisor = 950 V Disipación de Potencia Máxima = 453 W Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Configuración de transist...
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FGY75T95LQDT
a partir de € 7,213*
por unidad
 
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IGBT, HGT1S10N120BNST, N-Canal, 80 A, 1.200 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines, 1MHZ Simple (2 ofertas) 
IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
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HGT1S10N120BNST
a partir de € 1,84*
por unidad
 
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IGBT, HGT1S10N120BNST, N-Canal, 80 A, 1.200 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines, 1MHZ Simple (1 oferta) 
IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
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HGT1S10N120BNST
a partir de € 4,536*
por 2 unidades
 
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IGBT, ISL9V2040D3ST, N-Canal, 10 A, 450 V, DPAK (TO-252), 3-Pines Simple (2 ofertas) 
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
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ISL9V2040D3ST
a partir de € 0,725*
por unidad
 
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IGBT, ISL9V3040D3ST, N-Canal, 21 A, 300 V, DPAK (TO-252), 3-Pines, 1MHZ Simple (1 oferta) 
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
onsemi
ISL9V3040D3ST
a partir de € 1,065*
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IGBT, ISL9V3040P3, N-Canal, 21 A, 450 V, TO-220AB, 3-Pines Simple (2 ofertas) 
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
Fairchild
ISL9V3040P3
a partir de € 1,46*
por unidad
 
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IGBT, ISL9V5036S3ST, N-Canal, 46 A, 420 V, D2PAK (TO-263), 3-Pines Simple (2 ofertas) 
IGBT discretos, Fairchild Semiconductor
onsemi
ISL9V5036S3ST
a partir de € 2,458*
por unidad
 
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IGBT, NFAM0512L5BT, N-Canal, 5 A, 1.200 V, DIP, 39-Pines 6 (1 oferta) 
EL on Semiconductor NFAM0512L5BT es un módulo de potencia de inversor completamente integrado de− compuesto por un controlador de puerta de lado alto independiente, LVIC, seis IGBT y un sensor de t...
onsemi
NFAM0512L5BT
€ 2.117,88*
por 90 unidades
 
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IGBT, NFAM0512L5BT, N-Canal, 5 A, 1.200 V, DIP, 39-Pines 6 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 5 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 16.5V Número de transistores = 6 Tipo de Encapsulado = DIP Tipo de Canal = N Con...
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NFAM0512L5BT
a partir de € 22,662*
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IGBT, NFAQ0560R43T, 5 A, 600 V, DIP38 400 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 5 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Número de transistores = 400 Tipo de Encapsulado = DIP38
onsemi
NFAQ0560R43T
a partir de € 7,005*
por unidad
 
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IGBT, NFAQ0560R43T, 5 A, 600 V, DIP38 400 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 5 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V Número de transistores = 400 Tipo de Encapsulado = DIP38
onsemi
NFAQ0560R43T
a partir de € 7,762*
por unidad
 
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IGBT, NFAQ0560R46T, 2,6 V, NFAQ (1 oferta) 
Tensión Máxima Colector-Emisor = 2,6 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 600V Tipo de Encapsulado = NFAQ
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NFAQ0560R46T
a partir de € 2.885,20*
por 400 unidades
 
 envase
IGBT, NFAQ0560R46T, 2,6 V, NFAQ (1 oferta) 
Tensión Máxima Colector-Emisor = 2,6 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = 600V Tipo de Encapsulado = NFAQ
onsemi
NFAQ0560R46T
a partir de € 6,257*
por unidad
 
 unidad
IGBT, NGTB25N120FL3WG, N-Canal, 100 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple (2 ofertas) 
Discretos IGBT, ON Semiconductor. Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.
onsemi
NGTB25N120FL3WG
a partir de € 3,30*
por unidad
 
 unidad
IGBT, NGTB25N120FL3WG, N-Canal, 100 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple (1 oferta) 
Discretos IGBT, ON Semiconductor. Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.
onsemi
NGTB25N120FL3WG
a partir de € 88,23*
por 30 unidades
 
 envase
IGBT, NGTB35N65FL2WG, N-Canal, 70 A, 650 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple (1 oferta) 
Discretos IGBT, ON Semiconductor. Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.
onsemi
NGTB35N65FL2WG
a partir de € 5,774*
por 2 unidades
 
 envase
IGBT, NGTB40N65FL2WG, N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple (2 ofertas) 
Discretos IGBT, ON Semiconductor. Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.
onsemi
NGTB40N65FL2WG
a partir de € 2,76*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FPDB40PH60B, N-Canal, 40 A, 600 V, SPM27 GC, 27-Pines, 20kHz (2 ofertas) 
PFC SPM® (módulos de potencia inteligentes), Fairchild Semiconductor. Módulos de potencia inteligentes avanzados (SPM®) de PFC (corrección de factor de potencia).
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FPDB40PH60B
a partir de € 14,43*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, FSBF15CH60BT, N-Canal, 15 A, 600 V, SPM27 JA, 27-Pines, 20kHz (1 oferta) 
Controladores de motor serie Motion SPM® 3, Fairchild Semiconductor. Una gama de módulos de potencia inteligentes avanzados de Fairchild Semiconductor que proporciona soluciones compactas de alto r...
onsemi
FSBF15CH60BT
a partir de € 26,364*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, NFAQ0860L33T, DIP38 (2 ofertas) 
Tipo de Encapsulado = DIP38 Tipo de Montaje = Montaje roscado
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NFAQ0860L33T
a partir de € 8,30*
por unidad
 
 unidad
Módulo IGBT, NFAQ0860L33T, DIP38 (1 oferta) 
EL ON Semiconductor NFAQ0860L33T es una etapa de potencia de inversor completamente integrada que consta de un controlador de alta tensión, seis IGBT y un termistor, adecuado para accionar motores ...
onsemi
NFAQ0860L33T
a partir de € 9,435*
por unidad
 
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Módulo IGBT, NFAQ1060L36T, DIP38 (2 ofertas) 
EL ON Semiconductor NFAQ1060L36T es una etapa de potencia de inversor completamente integrada que consta de un controlador de alta tensión, seis IGBT y un termistor, adecuado para accionar motores ...
onsemi
NFAQ1060L36T
a partir de € 8,93*
por unidad
 
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Módulo IGBT, NFAQ1060L36T, DIP38 (1 oferta) 
Tipo de Encapsulado = DIP38 Tipo de Montaje = Montaje roscado
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NFAQ1060L36T
a partir de € 9,401*
por unidad
 
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Módulo IGBT, NFVA22512NP2T, DIP38 (2 ofertas) 
EL ON Semiconductor NFVA22512NP2T es un Advanced Auto IPM módulo que proporciona una etapa de salida de inversor de alto rendimiento y completamente equipada para vehículos híbridos y eléctricos.Te...
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NFVA22512NP2T
a partir de € 79,88*
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