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  IGBT (109 artículos)

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IGBT, RGS30TSX2HRC11, 30 A, 1.200 V, TO-247N, 3-Pines 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 30 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Disipación de Potencia Máxima = 267 W Tipo de Encapsulado = TO-247N Conteo...
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2HRC11
a partir de € 3,936*
por unidad
 
 unidades
IGBT, RGS50TSX2DGC11, 50 A, 1.200 V, TO-247N, 3-Pines 1 (2 ofertas) 
El IGBT ROHM Field Stop Trench se utiliza principalmente en inversores generales, SAI, inversores fotovoltaicos y acondicionadores de potencia. La disipación de potencia es de 395 Watts.Tensión de ...
ROHM Semiconductor
RGS50TSX2DGC11
a partir de € 4,18*
por unidad
 
 unidad
IGBT, RGS50TSX2DGC11, 50 A, 1.200 V, TO-247N, 3-Pines 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Disipación de Potencia Máxima = 395 W Tipo de Encapsulado = TO-247N Conteo...
ROHM Semiconductor
RGS50TSX2DGC11
a partir de € 6,119*
por unidad
 
 unidad
IGBT, RGS50TSX2GC11, 50 A, 1.200 V, TO-247N, 3-Pines 1 (2 ofertas) 
El IGBT de zanja de parada de campo ROHM se utiliza principalmente en PFC, SAI, IH y acondicionadores de potencia. La disipación de potencia es de 395 Watts.Tensión de saturación del colector-emiso...
ROHM Semiconductor
RGS50TSX2GC11
a partir de € 4,34*
por unidad
 
 unidad
IGBT, RGS50TSX2GC11, 50 A, 1.200 V, TO-247N, 3-Pines 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 50 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Disipación de Potencia Máxima = 395 W Tipo de Encapsulado = TO-247N Conteo...
ROHM Semiconductor
RGS50TSX2GC11
a partir de € 4,921*
por unidad
 
 unidades
IGBT, RGS80TSX2DGC11, 80 A, 1.200 V, TO-247N, 3-Pines 1 (2 ofertas) 
El IGBT ROHM Field Stop Trench se utiliza principalmente en inversores generales, SAI, inversores fotovoltaicos y acondicionadores de potencia. La disipación de potencia es de 555 Watts.Tensión de ...
ROHM Semiconductor
RGS80TSX2DGC11
a partir de € 6,71*
por unidad
 
 unidad
IGBT, RGS80TSX2DGC11, 80 A, 1.200 V, TO-247N, 3-Pines 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Disipación de Potencia Máxima = 555 W Tipo de Encapsulado = TO-247N Conteo...
ROHM Semiconductor
RGS80TSX2DGC11
a partir de € 8,089*
por unidad
 
 unidad
IGBT, RGS80TSX2GC11, 80 A, 1.200 V, TO-247N, 3-Pines 1 (2 ofertas) 
El IGBT de zanja de parada de campo ROHM se utiliza principalmente en PFC, SAI, IH y acondicionadores de potencia. La disipación de potencia es de 555 Watts.Tensión de saturación del colector-emiso...
ROHM Semiconductor
RGS80TSX2GC11
a partir de € 5,72*
por unidad
 
 unidad
IGBT, RGS80TSX2GC11, 80 A, 1.200 V, TO-247N, 3-Pines 1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 80 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 1.200 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Disipación de Potencia Máxima = 555 W Tipo de Encapsulado = TO-247N Conteo...
ROHM Semiconductor
RGS80TSX2GC11
a partir de € 6,505*
por unidad
 
 unidad
IGBT, RGSX5TS65DHRC11, N-Canal, 75 A, 650 V, TO-247N, 3-Pines 1 Emisor común (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Disipación de Potencia Máxima = 404 W Tipo de Encapsulado = TO-247N Tipo de ...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65DHRC11
a partir de € 5,19*
por unidad
 
 unidad
IGBT, RGSX5TS65DHRC11, N-Canal, 75 A, 650 V, TO-247N, 3-Pines 1 Emisor común (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Disipación de Potencia Máxima = 404 W Tipo de Encapsulado = TO-247N Tipo de ...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65DHRC11
a partir de € 7,92*
por unidad
 
 unidad
IGBT, RGSX5TS65EGC11, N-Canal, 75 A, 650 V, TO-247N, 3-Pines 1 Emisor común (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Número de transistores = 1 Tipo de Encapsulado = TO-247N Tipo de Montaje = M...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65EGC11
a partir de € 4,59*
por unidad
 
 unidad
IGBT, RGSX5TS65EGC11, N-Canal, 75 A, 650 V, TO-247N, 3-Pines 1 Emisor común (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Número de transistores = 1 Tipo de Encapsulado = TO-247N Tipo de Montaje = M...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65EGC11
a partir de € 7,099*
por unidad
 
 unidad
IGBT, RGSX5TS65EHRC11, N-Canal, 75 A, 650 V, TO-247N, 3-Pines 1 Emisor común (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Número de transistores = 1 Tipo de Encapsulado = TO-247N Tipo de Montaje = M...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65EHRC11
a partir de € 5,23*
por unidad
 
 unidad
IGBT, RGSX5TS65EHRC11, N-Canal, 75 A, 650 V, TO-247N, 3-Pines 1 Emisor común (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua del Colector = 75 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±30V Número de transistores = 1 Configuración = Único Tipo de Montaje = Montaje e...
ROHM Semiconductor
RGSX5TS65EHRC11
a partir de € 8,524*
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