Tipo de Encapsulado = D2PAK Tipo de Montaje = Montaje superficial Disipación de Potencia Máxima = 313 W Conteo de Pines = 2 + Tab Número de Elementos por Chip = 1 Temperatura Máxima de Funcionamien...
Los números de referencia del fabricante con prefijo NSV están indicados para aplicaciones de automoción conforme al estándar AEC-Q101. Transistores de potencia NPN, ON Semiconductor
Power MOSFET Complementary, 20 V, +3.9 A/-4.4 A ChipFET™Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET Small Size, 40% Smaller then TSOP-6 Package Leadless SMD Package Provides Great Thermal Charcter...
Tipo de Transistor = NPN Corriente DC Máxima del Colector = 7 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 50 V Tipo de Encapsulado = TO-252 Tipo de Montaje = Montaje superficial Ganancia Mínima de Corriente...
Los números de referencia del fabricante con prefijo S o NSV están indicados para aplicaciones de automoción conforme al estándar AEC-Q101. Transistores PNP para uso general, más de 1 A, ON Semicon...
Tipo de Transistor = NPN/PNP Corriente DC Máxima del Colector = 3 A Tensión Máxima Colector-Emisor = 100 V Tipo de Encapsulado = PowerDI5060-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Los números de referencia del fabricante con prefijo S o NSV están indicados para aplicaciones de automoción conforme al estándar AEC-Q101. Transistores PNP de uso general, hasta 1 A, ON Semiconductor
Este MOSFET de N-Channel ha sido diseñado usando un Advanced Power Trench proceso para optimizar el RDS(on) @VGS=2.5V en el marco especial de cable MicroFET.RDS(on) = 30 mΩ @ VGS = 4,5 V, ID = 5,7A...
Tipo de Transistor = NPN Corriente DC Máxima del Colector = 100 mA Tensión Máxima Colector-Emisor = 50 V Tipo de Encapsulado = VT6X12 Tipo de Montaje = Montaje superficial Ganancia Mínima de Corrie...
Los números de referencia del fabricante con prefijo NSV están indicados para aplicaciones de automoción conforme al estándar AEC-Q101. Transistores de potencia NPN, ON Semiconductor
Transistores PNP de bajo voltaje de saturación. Una gama de transistores PNP de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de...
Tipo de Transistor = PNP Corriente DC Máxima del Colector = -100 mA Tensión Máxima Colector-Emisor = -50 V Tipo de Encapsulado = VT6T12 Tipo de Montaje = Montaje superficial Ganancia Mínima de Corr...
The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power and switching output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.Lead Formed fo...
Tipo de Transistor = PNP Corriente DC Máxima del Colector = 5 A Tensión Máxima Colector-Emisor = -80 V Tipo de Encapsulado = TO-263AB Tipo de Montaje = Montaje superficial Ganancia Mínima de Corrie...
Tipo de Transistor = PNP Corriente DC Máxima del Colector = -500 mA Tensión Máxima Colector-Emisor = -12 V Tipo de Encapsulado = SOT-723 Tipo de Montaje = Montaje superficial Ganancia Mínima de Cor...
Tipo de Transistor = PNP Corriente DC Máxima del Colector = -200 mA Tensión Máxima Colector-Emisor = -20 V Tipo de Encapsulado = VT6T1 Tipo de Montaje = Montaje superficial Ganancia Mínima de Corri...
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias.
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